Powstała pamięć RRAM?
10 lutego 2009, 11:55Mało znana australijska firma 4DS Inc. twierdzi, że wyprzedziła światowych gigantów i dokonała znaczącego przełomu na drodze do wyprodukowania pamięci rezystywnych (RRAM - resistive random access memory). Teraz przedsiębiorstwo szuka partnerów, którzy rozpoczną wraz z nim produkcję nowego typu pamięci uniwersalnej, czyli łączącej w sobie zalety pamięci flash (gęstość i przechowywanie danych bez konieczności odświeżania) i DRAM (szybkość pracy).
FeDRAM - nowy pomysł na pamięci
13 sierpnia 2009, 11:47Naukowcy z Yale University i badacze z Semiconductor Research Corp. (SRC) ogłosili, że pamięci ferroelektryczne lepiej nadają się do zastąpienia obecnych układów DRAM niż pamięci flash. Już przed kilkoma miesiącami zaprezentowali oni eksperymentalny ferroelektryczny tranzystor dla układów FeDRAM.
Nowa koncepcja pracy pamięci cache
10 września 2015, 14:50Podczas International Conference on Parallel Architectures and Compilation Techniques naukowcy z MIT-u zaprezentowali pierwszą od 30 lat nową koncepcję utrzymania spójności pamięci cache w układach elektronicznych
Nowy procesor nadzieją na sieci neuronowe w smartfonach
16 lutego 2018, 06:10Eksperci z MIT stworzyli nowatorki neuronowy układ scalony, który jest nawet 7-krotnie szybszy od innych tego typu kości, a jednocześnie zużywa nawet 95% mniej energii. To zaś oznacza, że tego typu chip można stosować w urządzeniach zasilanych bateriami, niewykluczone więc, że wkrótce do smartfonów trafią sieci neuronowe.
Samsung zaprezentował pamięci PRAM
11 września 2006, 10:54Samsung Electronics pokazał nowy typ układów pamięci, które mają działać szybciej od obecnie stosowanych kości flash. Zmiennofazowe układy RAM (PRAM - phase-change random access memory) to pamięci nieulotne, co oznacza, że przechowywane w nich informacje nie zostają utracone po odłączeniu zasilania.
Odczyt z FeRAM bez niszczenia danych
14 czerwca 2013, 09:23Udało się rozwiązać jeden z największych problemów trapiących pamięc FeRAM. Opracowano metodę, która pozwala na odczytanie zawartości tych pamięci bez jej niszczenia.
Pamięć z węglowych nanorurek gotowa do rynkowego debiutu
2 września 2016, 08:43Po ponad 15 latach prac badawczo-rozwojowych firmach Nantero ogłosiła, że pamięci NRAM CNT (carbon nanotubes) są gotowe do produkcji i mogą być używane w układach typu system-on-a-chip (SoC). Prace nad tego typu pamięciami rozpoczęły się w 2001 roku, a celem Nantero było stworzenie nieulotnych układów NRAM wykorzystujących węglowe nanorurki.
Grafenowa pamięć
25 listopada 2008, 13:00Profesor James Tour oraz Yubao Li i Alexander Sinitskii z Rice University zauważyli, że grafitowa płytka o grubości zaledwie 10 atomów może świetnie sprawdzić się przy produkcji pamięci komputerowych, których właściwości są znacznie lepsze niż obecnie stosowanych układów flash.
Materiały zmiennofazowe mogą zastąpić krzem
19 września 2014, 19:24Ograniczenia wielkości oraz prędkości współczesnych procesorów i układów pamięci można pokonać zastępując krzem materiałami zmiennofazowymi (PCM). Materiały takie są w stanie w ciągu miliardowych części sekundy zmieniać swoją strukturę pomiędzy przewodzącą krystaliczną a nieprzewodzącą amorficzną
Wielki sukces Chin na rynku superkomputerów
20 czerwca 2016, 11:13Nowy chiński superkomputer, Sunway TaihuLight, znalazł się na czele najnowszej listy TOP500. Wydajność maszyny w teście Linpack wyniosła 93 petaflopsy, jest więc trzykrotnie większa od dotychczasowego lidera, również chińskiego Tianhe-2. Jednak tym, o czym należy przede wszystkim wspomnieć, jest fakt, że Sunway TaihuLight to w pełni chińska konstrukcja
« poprzednia strona następna strona » 1 2 3 4 5 6 7 8 …
